Mosfet - Single Discrete Semiconductor Product 680mA 100V 1.8W Infineon Technologies (VA) Surface Mount BSP316P L6327 Discrete Semiconductor Products

MOSFET P-CHAN 100V 0.68A SOT-223 - BSP316P L6327 - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key BSP316PL6327INCT-ND
Quiebre de precio Precio unitario Precio extendido
Número de pieza del fabricanteBSP316P L6327
DescripciónMOSFET P-CHAN 100V 0.68A SOT-223
Cantidad disponible

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Orden: Mosfet - Single Discrete Semiconductor Product 680mA 100V 1.8W Infineon Technologies (VA) Surface Mount BSP316P L6327 Discrete Semiconductor Products
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Mosfet - Single Discrete Semiconductor Product 680mA 100V 1.8W Infineon Technologies (VA) Surface Mount BSP316P L6327
Hoja de datosBSP316P L6327
DistribuidorInfineon Technologies (VA)
CategoríaDiscrete Semiconductor Products
Mounting TypeSurface Mount
FET TypeP-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C680mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C2.3 Ohms @ 610mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds146pF @ 25V
Power - Max1.8W
PackagingCut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) @ Vgs6.4nC @ 10V
Package / CaseSOT-223
Estado libre de plomoLead Free
Estado de las normas RoHSRoHS Compliant
Otros nombres BSP316P L6327
BSP316P L6327
BSP316PL6327INCT ND
BSP316PL6327INCTND
BSP316PL6327INCT
Image of MOSFET P-CHAN 100V 0.68A SOT-223 - BSP316P L6327
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MOSFET P-CHAN 100V 0.68A SOT-223 - BSP316P L6327
(BSP316PL6327INCT-ND) - Discrete Semiconductor Products

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MOSFET P-CHAN 100V 0.68A SOT-223 - BSP316P L6327
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