Mosfet - Single Discrete Semiconductor Product 4.1A 800V 125W Vishay IR Through Hole IRFBE30LPBF Discrete Semiconductor Products

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 - IRFBE30LPBF - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key IRFBE30LPBF-ND
Quiebre de precio Precio unitario Precio extendido
Número de pieza del fabricanteIRFBE30LPBF
DescripciónMOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Cantidad disponible

Non-Stock
Orden: Mosfet - Single Discrete Semiconductor Product 4.1A 800V 125W Vishay IR Through Hole IRFBE30LPBF Discrete Semiconductor Products
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Mosfet - Single Discrete Semiconductor Product 4.1A 800V 125W Vishay IR Through Hole IRFBE30LPBF
Hoja de datosIRFBE30LPBF
DistribuidorVishay IR
CategoríaDiscrete Semiconductor Products
Mounting TypeThrough Hole
FET TypeN-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C3 Ohms @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
Power - Max125W
PackagingBulk
Gate Charge (Qg) @ Vgs78nC @ 10V
Package / CaseTO-262
Estado libre de plomoLead Free
Estado de las normas RoHSRoHS Compliant
Otros nombres IRFBE30LPBF
IRFBE30LPBF
Image of MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 - IRFBE30LPBF
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MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 - IRFBE30LPBF
(IRFBE30LPBF-ND) - Discrete Semiconductor Products

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