Cuando la cantidad solicitada excede las cantidades expuestas en el listado de precios, un precio unitario menor puede aparecer en su solicitud. Usted puede enviar una solicitud para obtener una cotización sobre las cantidades que son mayores a las exhibidas en el listado de precios .
Mosfet - Single Discrete Semiconductor Product 5A 900V 150W Toshiba Through Hole 2SK2610(F,T)
Hoja de datos
2SK2610(F,T)
Distribuidor
Toshiba
Categoría
Discrete Semiconductor Products
Mounting Type
Through Hole
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C
2.5 Ohms @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
1200pF @ 25V
Power - Max
150W
Packaging
Tube
Gate Charge (Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
Package / Case
2-16C1B (TO-247 N)
Estado libre de plomo
Lead Free
Estado de las normas RoHS
RoHS Compliant
Otros nombres
2SK2610 F,T
2SK2610F,T
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
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